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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1285/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237094.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路; 张全德; 陆全勇; 高瑜; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(1061Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1322/221  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1324/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 陈涌海; 刘建庆; 高云; 徐波; 张兴旺; 王占国 Adobe PDF(1860Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1086/34  |  提交时间:2011/08/31 |