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| 一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 3993
发明人: 陈志刚; 张 杨; 杨富华
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| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fang C (Fang Cheng); Wang ZG (Wang Zhi-Gang); Li SS (Li Shu-Shen); Zhang P (Zhang Ping); Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang-ping@iap.cm.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 成步文 ; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王翠鸾; 韩淋; 吴芃; 刘媛媛; 李伟; 冯小明; 王勇刚; 刘素平; 马骁宇
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