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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:集成光电子学国家重点实验室
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学位论文
作者:
王蕴玉
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提交时间:2019/11/12
InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
Adobe PDF(1908Kb)
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浏览/下载:962/61
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
何超
Adobe PDF(7728Kb)
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浏览/下载:892/54
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提交时间:2016/06/02
Si 基发光器件
Ge/si 量子点
Ge/sige 量子阱
Ge 薄膜
绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
刘炜
Adobe PDF(3916Kb)
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提交时间:2016/06/01
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hou, Jie
;
Chen, Xiangfei
;
Wang, Lixian
;
Chen, Wei
;
Zhu, Ninghua
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提交时间:2013/04/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hou J (Hou, Jie)
;
Chen XF (Chen, Xiangfei)
;
Wang LX (Wang, Lixian)
;
Chen W (Chen, Wei)
;
Zhu NH (Zhu, Ninghua)
Adobe PDF(782Kb)
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浏览/下载:709/162
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提交时间:2013/03/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu JH
;
Wang LJ
;
Zhang SM
;
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05