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| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2014/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1663/153  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种LED外延片的切裂方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:744/3  |  提交时间:2016/08/30 |
| MOCVD设备的石墨托盘 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 纪攀峰; 孔庆峰; 王文军; 胡强; 马平; 曾一平; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1009/2  |  提交时间:2016/08/30 |
| 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014 发明人: 王文军; 李晋闽; 王军喜; 马平; 纪攀峰; 郭金霞; 孔庆峰; 胡强 Adobe PDF(282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:932/100  |  提交时间:2014/11/05 |
| 氮化镓系发光二极管及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 马平; 刘波亭; 甄爱功; 郭仕宽; 纪攀峰; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:899/97  |  提交时间:2014/11/05 |
| 用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 纪攀峰; 马平; 王军喜; 胡强; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(602Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:874/83  |  提交时间:2014/11/05 |
| 优化配置的多腔室MOCVD反应系统 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-05 发明人: 纪攀峰; 马平; 王军喜; 胡强; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(633Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:844/87  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 谢海忠; 纪攀峰; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(589Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:745/72  |  提交时间:2014/11/24 |
| 氮化镓基晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-08-20 发明人: 谢海忠; 纪攀峰; 杨华; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(630Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:656/65  |  提交时间:2014/11/24 |