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| 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆
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| 探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 谭平恒 ; 徐仲英; 罗向东; 葛惟昆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨春雷; 王建农; 葛惟锟; 崔利杰; 曾一平
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| 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tan PH (Tan P. H.); Luo XD (Luo X. D.); Xu ZY (Xu Z. Y.); Zhang Y (Zhang Y.); Mascarenhas A (Mascarenhas A.); Xin HP (Xin H. P.); Tu CW (Tu C. W.); Ge WK (Ge W. K.); Tan, PH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pinghengtan@hotmail.com; yong_zhang@nrel.gov
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tan P H; Luo X D; Ge W K; Xu Z Y; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin H P; Tu C W
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨旭东; 徐仲英; 罗向东; 方再历; 李国华; 苏荫强; 葛惟昆
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| 带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 方再利; 苏付海; 马宝珊; 丁琨; 韩和相; 李国华; 苏萌强; 葛惟锟
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| 半导体材料电信号测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张砚华; 卢励吾; 葛惟昆
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