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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者:刘兴昉
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期刊论文
作者:
闫果果
;
孙国胜
;
吴海雷
;
王雷
;
赵万顺
;
刘兴昉
;
董林
;
郑柳
;
曾一平
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浏览/下载:1591/433
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提交时间:2012/07/16
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
李家业
;
王雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(365Kb)
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浏览/下载:1596/230
  |  
提交时间:2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘兴昉
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵永梅
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
曾一平
Adobe PDF(494Kb)
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浏览/下载:1500/218
  |  
提交时间:2009/06/11
一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙国胜
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
杨挺
;
吴海雷
;
闫果果
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31