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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [16]
作者
刘超 [1]
樊中朝 [1]
陈少武 [1]
文献类型
期刊论文 [11]
会议论文 [4]
专利 [1]
发表日期
2004 [16]
语种
英语 [9]
中文 [7]
出处
2004 7TH I... [2]
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共16条,第1-10条
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发表日期:2004
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
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条数/页:
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65
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85
90
95
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
作者升序
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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
崔利杰
;
曾一平
;
王保强
;
朱战平
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浏览/下载:1352/180
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song, YP
;
Zhang, HZ
;
Lin, C
;
Zhu, YW
;
Li, GH
;
Yang, FH
;
Yu, DP
;
Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
Adobe PDF(225Kb)
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浏览/下载:1504/510
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YP
;
Yu JZ
;
Xia JS
;
Chen SW
;
Li, YP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liyp@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:771/183
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, GR
;
Zhou, X
;
Yang, FH
;
Tan, PH
;
Zheng, HZ
;
Zeng, YP
;
Li, GR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:902/357
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提交时间:2010/03/17
Growth and characterization of 4H-SiC by horizontal hot-wall CVD
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Sun, GS
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1394/293
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提交时间:2010/03/29
Chemical-vapor-deposition
Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Gao, X
;
Li, JM
;
Sun, GS
;
Zhang, NH
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Gao, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1176/196
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提交时间:2010/03/29
Si(111)
Aln
Hetero-epitaxial growth of ZnO films on silicon by low-pressure metal organic chemical vapor deposition
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Wang, QY
;
Shen, WJ
;
Wang, J
;
Wang, JH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Wang, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1281/210
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提交时间:2010/03/29
Ultraviolet-laser Emission
Thin-films
Zinc-oxide
Room-temperature
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xia JS
;
Yu JZ
;
Li YP
;
Chen SW
;
Xia, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1023/411
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提交时间:2010/03/09
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1367/208
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提交时间:2010/03/29
4h-sic
Lpcvd Homoepitaxial Growth
Thermal Oxidization
Mos Structures
Hot-wall Cvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, GS
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:919/289
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提交时间:2010/03/17