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一种减小霍尔器件失调电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
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一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
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高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑一阳;  韩海;  景士平;  梁平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu BZ;  Chen Z;  Lu DC;  Han P;  Liu XG;  Wang XH;  Wang D;  Zhu QS;  Wang ZG;  Qu BZ,Acad Sinica,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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