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1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SS;  Abliz A;  Yang FH;  Niu ZC;  Feng SL;  Xia JB;  Hirose K;  Li SS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan LX;  Li SS;  Liu JL;  Niu ZC;  Feng SL;  Zheng HZ;  Li SS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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