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Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Li LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Characterization  Defects  X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Ge WK;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘新宇;  孙海峰;  陈焕章;  扈焕章;  海潮和;  刘忠立;  和致经;  吴德馨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李联合;  潘钟;  张伟;  林耀望;  王学宇;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓薇;  肖建伟;  王仲明;  马骁宇;  刘宗顺;  方高瞻;  张敬明;  冯小明
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