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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JN;  Sun BQ;  Wang XR;  Wang HL;  Wang JN,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JM;  Sun BQ;  Wang XR;  Wang YQ;  Ge WL;  Wang HL;  Wang JM,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun BQ;  Wang JN;  Ge WK;  Wang YQ;  Jiang DS;  Zhu HJ;  Wang HL;  Deng YM;  Feng SL;  Wang JN,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Hong Kong,Peoples R China.
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Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots 会议论文
PROCEEDINGS OF THE FIFTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON QUANTUM CONFINEMENT: NANOSTRUCTURES, 98 (19), BOSTON, MA, NOV 02-05, 1998
作者:  Zhu HJ;  Wang ZM;  Sun BQ;  Feng SL;  Jiang DS;  Zheng HZ;  Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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