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Yellow luminescence mechanism and persistent photoconductivity in n-GaN single crystal films grown on alpha-Al2O3(0001) substrates by LP-MOCVD 会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:  Wang LS;  Yue GZ;  Liu XL;  Wang XH;  Wang CX;  Wang D;  Lu DC;  Wang ZG;  Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao MS;  Dai ZX;  Li GH;  Wang RZ;  Jiang DS;  Zhao MS,Qufu Normal Univ,Laser Res Inst,Shandong 273165,Peoples R China. 电子邮箱地址: mszhao@ji-public.sd.cninfo.net
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