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| 1.3 μm波段InP基高速直接调制InGaAlAs量子阱激光器研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 朱旭愿
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| 量子级联探测器垂直入射耦合机制及器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 朱怡璇
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| 基于激光技术的硅减反射结构及新型太阳电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 朱小宁
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱洪亮 ; 梁松; 李宝霞; 赵玲娟; 王宝军; 边静; 许晓冬; 朱小宁; 王圩
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王连洲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖虎; 孟宪权; 朱振华; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵
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