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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Ma XY;  Fu SG;  Fan WD;  Li Q;  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zheng, ZS;  Liu, ZL;  Zhang, GQ;  Li, N;  Fan, K;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Li, N;  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Fan, K;  Zheng, ZS;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Simox  Fluorine  Ionizing Radiation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  姜凡;  刘忠立
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  马骁宇;  付圣贵;  范万德;  李强;  袁树忠;  董孝义;  宋晏蓉;  张志刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  余金中;  陈少武;  夏金松;  王章涛;  樊中朝;  李艳萍;  刘敬伟;  杨笛;  陈媛媛
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