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| InAs纳米线及其网络在IV族衬底上的分子束外延 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 刘磊 Adobe PDF(20769Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:38/0  |  提交时间:2024/05/23 |
| 低维锑基半导体材料光电探测器研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 柴瑞青 Adobe PDF(5412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:555/20  |  提交时间:2020/09/01 |
| III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2018 作者: 季祥海 Adobe PDF(7181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:981/55  |  提交时间:2018/06/04 Iii-v族半导体纳米线 异质结纳米线 自催化生长机制 金属有机化学气相沉积 |
| 高质量大组分可调GaAs1-xSbx纳米线及GaAsSb/InAs核-壳同轴纳米线分子束外延生长与表征 学位论文 , 北京: 中国科学院大学, 2017 作者: 李利霞 Adobe PDF(7784Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:657/37  |  提交时间:2017/05/31 |
| Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 杜文娜 Adobe PDF(6743Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1099/56  |  提交时间:2016/05/31 Inassb纳米线 生长机制 平面纳米线 纳米线阵列 金属有机化学气相沉积 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 王小耶 Adobe PDF(7460Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:470/24  |  提交时间:2015/05/27 |
| 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:819/203  |  提交时间:2014/11/24 |