中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Li XB;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(127Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1461/307  |  提交时间：2010/11/15
Stress  Growth  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(71Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1067/486  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Li XB;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(127Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1140/343  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XL;  Jin JC;  Xie Z;  Li JM;  Wang PD;  Liu GB;  Long B;  Zhang XL,Cent S Univ Technol,Dept Appl Phys,Changsha 410083,Peoples R China.
Adobe PDF(47Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：854/212  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(76Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：997/271  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓亮;  孙殿照;  张剑平;  孔梅影;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
Adobe PDF(205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：870/277  |  提交时间：2010/11/23