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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [10]
作者
金鹏 [10]
徐波 [4]
叶小玲 [2]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [4]
发表日期
2007 [10]
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中文 [6]
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出处
APPLIED PH... [3]
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共10条,第1-10条
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发表日期:2007
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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95
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宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘宁
;
金鹏
;
王占国
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浏览/下载:1291/201
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提交时间:2009/06/11
半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
金鹏
;
王占国
Adobe PDF(341Kb)
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浏览/下载:1467/171
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提交时间:2009/06/11
宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘宁
;
金鹏
;
王占国
Adobe PDF(751Kb)
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浏览/下载:1108/180
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提交时间:2009/06/11
一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
于理科
;
徐波
;
王占国
;
金鹏
;
赵昶
;
张秀兰
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浏览/下载:1467/167
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提交时间:2009/06/11
一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
于理科
;
徐波
;
王占国
;
金鹏
;
赵昶
;
张秀兰
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浏览/下载:1199/178
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提交时间:2009/06/11
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王元立
;
吴巨
;
金鹏
;
叶小玲
;
张春玲
;
黄秀颀
;
陈涌海
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1110/379
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu J
;
Jiao YH
;
Jin P
;
Lv XJ
;
Wang ZG
;
Wu, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wuju@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:954/279
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lei W
;
Wang YL
;
Chen YH
;
Jin P
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wen.lei@uni-due.de
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浏览/下载:1049/241
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Meng XQ
;
Chen ZQ
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Wei L
;
Meng, XQ, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: mengxq@whu.edu.cn
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浏览/下载:1039/276
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提交时间:2010/03/29