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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Zhao M;  Zhang CL;  Xu B;  Yu LK;  Sun J;  Lei W;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
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Monte Carlo Simulation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张兴宏;  夏冠群;  徐元森;  徐波;  杨玉芬;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱东海;  王占国;  梁基本;  徐波;  朱战萍;  张隽;  龚谦;  金才政;  丛立方;  胡雄伟;  韩勤;  方祖捷;  刘斌;  屠玉珍
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