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| 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性 | |
朱东海; 王占国; 梁基本; 徐波 ; 朱战萍; 张隽; 龚谦; 金才政; 丛立方; 胡雄伟; 韩勤; 方祖捷; 刘斌; 屠玉珍
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| 1997 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 18Issue:5Pages:391 |
| Abstract | 介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性。激光器的室温连续输出功率达到2W。在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平。器件的特征温度高达185K(35￣85℃)及163K(85￣95℃)。同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所;国家光电子工艺中心;中科院上海光学精密机械所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家863计划 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:358594 |
| Date Available | 2010-11-23 |
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19447 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 朱东海,王占国,梁基本,等. 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性[J]. 半导体学报,1997,18(5):391. |
| APA | 朱东海.,王占国.,梁基本.,徐波.,朱战萍.,...&屠玉珍.(1997).高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性.半导体学报,18(5),391. |
| MLA | 朱东海,et al."高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性".半导体学报 18.5(1997):391. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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