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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, Dongfeng;   Mao, Shengcheng;   Teng, Jiao;   Wang, Xinliang;   Li, Xiaochen;   Ning, Jin;   Li, Zhipeng;   Zhang, Qing;   Tian, Zhiyong;   Wang, Menglong;   Zhang, Ze;   Han, Xiaodong
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4H-SiC结型势垒肖特基(JBS)二极管的设计与研制及其关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  王进泽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiaodong Wang;  Shengcheng Mao;  Peng Chen;  Yinong Liu;  Jin Ning;  Haixin Li;  Ketao Zang;  Ze Zhang;  Xiaodong Han
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具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
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