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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [39]
作者
魏鸿源 [1]
宋华平 [1]
张彪 [1]
文献类型
专利 [33]
期刊论文 [5]
学位论文 [1]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2014 [1]
2012 [1]
2011 [2]
语种
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出处
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共39条,第1-10条
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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第一作者单位
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ning Zhuo
;
Jin-Chuan Zhang
;
Feng-Jiao Wang
;
Ying-Hui Liu
;
Shen-Qiang Zhai
;
Yue Zhao
;
Dong-Bo Wang
;
Zhi-Wei Jia
;
Yu-Hong Zhou
;
Li-Jun Wang
;
Jun-Qi Liu
;
Shu-Man Liu
;
Feng-Qi Liu
;
Zhan-Guo Wang
;
Jacob B. Khurgin
;
and Greg Sun
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浏览/下载:187/1
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提交时间:2018/05/23
InP 基集成外腔激光器芯片及其相关应用研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
潘碧玮
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浏览/下载:1192/220
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提交时间:2016/06/03
双波长激光器
窄线宽激光器
高质量光生微波源
全光时钟提取
宽带激光混沌源
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sang, L
;
Zhu, QS
;
Yang, SY
;
Liu, GP
;
Li, HJ
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, SM
;
Wang, ZG
;
Zhou, XW
;
Mao, W
;
Hao, Y
;
Shen, B
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浏览/下载:444/108
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Niu B (Niu, Bin)
;
Li YP (Li, Yanping)
;
Hong T (Hong, Tao)
;
Chen WX (Chen, Weixi)
;
Liang S (Liang, Song)
;
Pan JQ (Pan, Jiaoqing)
;
Qiu JF (Qiu, Jifang)
;
Wang C (Wang, Chong)
;
Ran GZ (Ran, Guangzhao)
;
Zhao LJ (Zhao, Lingjuan)
;
Qin GG (Qin, Guogang)
;
Wang W (Wang, Wei)
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浏览/下载:978/223
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提交时间:2013/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
郝会颖
;
李伟民
;
曾湘波
;
孔光临
;
廖显伯
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浏览/下载:1211/350
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提交时间:2012/07/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi K
;
Li DB
;
Song HP
;
Guo Y
;
Wang J
;
Xu XQ
;
Liu JM
;
Yang AL
;
Wei HY
;
Zhang B
;
Yang SY
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Shi, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn
;
lidb@ciomp.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1912/418
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提交时间:2011/07/05
水汽探测用激光芯片的制造方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
于红艳
;
周旭亮
;
邵永波
;
王宝军
;
潘教青
;
王圩
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浏览/下载:1426/184
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提交时间:2012/09/09
聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王宝军
;
朱洪亮
;
赵玲娟
;
王圩
;
潘教青
;
梁松
;
边静
;
安心
;
王伟
;
周代兵
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浏览/下载:1357/255
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提交时间:2011/08/31
异质掩埋激光器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王宝军
;
朱洪亮
;
赵玲娟
;
王圩
;
潘教青
;
陈娓兮
;
梁松
;
边静
;
安心
;
王伟
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浏览/下载:1354/246
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提交时间:2011/08/31
量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
邵永波
;
赵玲娟
;
于红艳
;
潘教青
;
王宝军
;
王圩
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浏览/下载:1300/219
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提交时间:2012/09/09