SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共12条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Z. Fu;  Z. G. Yin;  X. W. Zhang;  N. F. Chen;  Y. J. Zhao;  Y. M. Bai;  D. Y. Zhao;  H. F. Zhang;  Y. D. Yuan;  Y. N. Chen;  J. L. Wu;  J. B. You
Adobe PDF(2138Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:157/0  |  提交时间:2018/05/30
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YM;  Zhang H;  Wang J;  Chen NF;  Yao JX;  Huang TM;  Zhang XW;  Yin ZG;  Fu Z;  Bai, YM, N China. Elect Power Univ, Beijing Key Lab New & Renewable Energy, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@semi.ac.cn
Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1139/342  |  提交时间:2011/07/05
利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1295/204  |  提交时间:2011/08/31
制备有序Al纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910082081.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  游经碧;  张兴旺;  高云;  董敬敬;  陈诺夫
Adobe PDF(158Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1645/212  |  提交时间:2011/08/31
锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  陈晓锋;  陈诺夫;  吴金良;  张秀兰;  柴春林;  俞育德
Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1406/221  |  提交时间:2011/08/31
在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1670/254  |  提交时间:2011/08/31
增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102520377A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张兴旺;  吴金良;  付振;  张汉
Adobe PDF(481Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1273/202  |  提交时间:2012/09/09
制备T相BiFeO3薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人:  赵亚娟;  尹志岗;  张兴旺;  付振;  吴金良
Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:880/91  |  提交时间:2014/11/05
一种双维度上克服衍射极限的等离子体激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-22
发明人:  郑婉华;  付非亚;  王宇飞;  晏新宇;  周文君;  陈微
Adobe PDF(795Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:769/60  |  提交时间:2014/10/28
一种等离子体耦合模式激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-12
发明人:  郑婉华;  付非亚;  王宇飞;  晏新宇;  周文君;  陈微
Adobe PDF(1034Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:701/70  |  提交时间:2014/10/28