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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Y. J. Wu; C. Shen; Q. H. Tan; J. Shi; X. F. Liu; Z. H. Wu; J. Zhang; P. H. Tan; H. Z. Zheng
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| 半导体量子点系统中的热电效应 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 郑军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang XJ (Huang, X. J.); Wang LG (Wang, L. G.); Chen L (Chen, L.); Zhao JH (Zhao, J. H.); Zheng HZ (Zheng, H. Z.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo J (Luo J.); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Shen C (Shen C.); Zhang H (Zhang H.); Zhu K (Zhu K.); Zhu H (Zhu H.); Liu J (Liu J.); Li GR (Li G. R.); Ji Y (Ji Y.); Zhao JH (Zhao J. H.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ning JQ (Ning J. Q.); Xu SJ (Xu S. J.); Wei ZF (Wei Z. F.); Ruan XZ (Ruan X. Z.); Ji Y (Ji Yang); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Liu HC (Liu H. C.); Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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| 带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
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