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硅基稀土掺杂电致发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  丁武昌;  成步文;  余金中;  王启明
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硅基稀土掺杂发光材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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稀土复合离子注入发光材料制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin, P (Xin Ping);  Sun, CW (Sun Cheng-Wei);  Qin, FW (Qin Fu-Wen);  Wen, SP (Wen Sheng-Ping);  Zhang, QY (Zhang Qing-Yu);  Zhang, QY, Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion & Elect Bea, Dalian 116024, Peoples R China. 电子邮箱地址: qyzhang@dlut.edu.cn
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半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾宇昕;  王水凤;  杨富华;  曾庆城
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JG (Zhang Jian-Guo);  Wang XX (Wang Xiao-Xin);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Zhang, JG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jianguochang@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇;  和致经;  魏珂;  梁晓新;  王晓亮
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