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| 基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010196135.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马绍栋; 郑婉华; 陈微; 周文君; 刘安金; 彭红玲 Adobe PDF(360Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1417/271  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102163638A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马绍栋; 付非亚; 王宇飞; 王海玲; 彭红玲; 郑婉华 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1132/262  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102110595A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑婉华; 彭红玲; 渠宏伟; 马绍栋 Adobe PDF(1058Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1425/287  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 彭红玲; 郑婉华; 石岩; 马绍栋 Adobe PDF(472Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1338/277  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑婉华; 马传龙; 范学东; 渠红伟; 彭红玲; 王海玲; 马绍栋 Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1231/324  |  提交时间:2012/09/09 |
| InGaAs红外光探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21 发明人: 韦欣; 许斌宗; 宋国峰; 刘杰涛; 徐云; 相春平; 付东 Adobe PDF(1647Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:876/70  |  提交时间:2014/11/24 |
| 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 宋国峰; 许斌宗; 韦欣; 刘杰涛; 相春平; 付东; 徐云 Adobe PDF(1226Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:863/76  |  提交时间:2014/11/24 |
| 基于一维光子晶体结构的液晶光开关 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28 发明人: 宋国峰; 相春平; 许斌宗; 刘杰涛; 付东 Adobe PDF(909Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:745/80  |  提交时间:2014/11/24 |