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| 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人: 张长沙; 王占国; 石明吉; 彭文博; 刘石勇; 肖海波; 廖显伯; 孔光临; 曾湘波
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| 新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 朱洪亮; 王圩; 刘国利; 张静媛
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| 混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 朱洪亮
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| 混合波导结构电吸收调制分布反馈激光器和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 朱洪亮
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| 波长可调谐电吸收调制分布反馈激光器和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 张静媛
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| 半导体模式转换器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 朱洪亮; 董杰
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| 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 陈娓兮; 朱洪亮
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910076560.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张长沙; 王占国; 石明吉; 彭文博; 刘石勇; 肖海波; 廖显伯; 孔光临; 曾湘波
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