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| 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐龙娟; 杨晋玲; 解婧; 李艳; 杨富华 Adobe PDF(415Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1921/287  |  提交时间:2011/08/31 |
| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李艳; 杨富华; 裴为华 Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1832/278  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于谐振原理工作的MEMS滤波器模块 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534603.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宁瑾; 李永梅; 韩国威; 杨富华 Adobe PDF(410Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1305/226  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李艳; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1771/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07 发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华 Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1442/342  |  提交时间:2012/09/07 |
| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07 发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华 Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1452/343  |  提交时间:2012/09/07 |
| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1553/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(1181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1218/79  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种高密度相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 程凯芳; 王晓峰; 王晓东; 张加勇; 马慧莉; 杨富华 Adobe PDF(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1214/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华 Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1301/236  |  提交时间:2011/08/31 |