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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [6]
作者
文献类型
专利 [6]
发表日期
2010 [1]
2008 [2]
2006 [1]
2005 [2]
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中文 [6]
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语种:中文
文献类型:专利
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-17, 2010-08-12
发明人:
黄祖炎
;
宋国锋
;
王 青
;
韦 欣
;
陈良惠
Adobe PDF(781Kb)
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浏览/下载:1583/242
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提交时间:2010/08/12
MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韦欣
Adobe PDF(401Kb)
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浏览/下载:1251/179
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提交时间:2009/06/11
含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王青
;
何国荣
;
渠红伟
;
韦欣
;
宋国峰
;
陈良惠
Adobe PDF(603Kb)
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浏览/下载:1476/222
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提交时间:2009/06/11
铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
林涛
;
江李
;
陈芳
;
刘素平
;
潭满清
;
王国宏
;
韦欣
;
马骁宇
Adobe PDF(476Kb)
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浏览/下载:1309/173
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提交时间:2009/06/11
低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
江李
;
林涛
;
韦欣
;
王国宏
;
马骁宇
Adobe PDF(256Kb)
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浏览/下载:1015/140
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提交时间:2009/06/11
带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张洪波
;
韦欣
;
朱晓鹏
;
王国宏
;
马骁宇
Adobe PDF(475Kb)
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浏览/下载:1211/189
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提交时间:2009/06/11