MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法
韦欣
2008-11-19
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2007-05-16
语种中文
申请号CN200710099292.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4243
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
韦欣. MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法[P]. 2008-11-19.
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