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| 倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人: 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| ⅠB 族元素掺杂ZnO 薄膜的制备及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 杨晓丽
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 姬小利
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR (Liang Ji-ran); Hu M (Hu Ming); Wang XD (Wang Xiao-dong); Li GK (Li Gui-ke); Kan Q (Kan Qiang); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-hua); Liu J (Liu Jian); Wu NJ (Wu Nan-jian); Chen HD (Chen Hong-da); Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李国余; 张冶金; 李小健; 田立林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周晓光; 任鲁风; 李运涛 ; 张猛; 俞育德; 于军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭浩; 方利广; 吴小华; 于天宝; 廖清华; 黄永箴
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