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Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:  Ji HM;  Yang T;  Cao YL;  Ma WQ;  Cao Q;  Chen LH;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Density-of-states  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng WH;  Xing MX;  Ren G;  Johnson SG;  Zhou WJ;  Chen W;  Chen LH;  Zheng WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Zhu HL;  Jia LH;  Chen XF;  Wang W;  Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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