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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏 ; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国
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| 具有光伏效应和电致发光双重功能的器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘俊朋; 曲胜春; 王占国
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| 具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘俊朋; 曲胜春; 王占国
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| 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘宁; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吕蓬; 郭亨群; 申继伟; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁志梅; 吴巨; 金鹏; 吕雪芹; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周立; 陈涌海; 金鹏; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱蓉辉; 曾一平; 卜俊鹏; 惠峰; 郑红军; 赵冀; 高永亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 申继伟; 郭亨群; 吕蓬; 徐骏; 陈坤基; 王启明
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