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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中国科学院半导体研究... [2]
作者
黄北举 [2]
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专利 [2]
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2008 [2]
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发表日期:2008
文献类型:专利
作者:黄北举
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双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
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黄北举
;
刘海军
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顾明
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提交时间:2009/06/11
三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
黄北举
;
刘金彬
;
顾明
;
刘海军
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提交时间:2009/06/11