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GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  李路;  邵烨;  郭瑜;  梁平;  胡颖;  孙虹
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镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  路秀真;  郭瑜;  梁平;  胡颖;  孙虹
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n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  梁平;  孙红;  胡颖;  王晓东
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偏心调焦的光纤转接器结构和光纤转接器调整方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓薇;  徐金生;  孙海东;  马骁宇;  方高瞻;  刘素平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin, P (Xin Ping);  Sun, CW (Sun Cheng-Wei);  Qin, FW (Qin Fu-Wen);  Wen, SP (Wen Sheng-Ping);  Zhang, QY (Zhang Qing-Yu);  Zhang, QY, Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion & Elect Bea, Dalian 116024, Peoples R China. 电子邮箱地址: qyzhang@dlut.edu.cn
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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
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六英寸半绝缘砷化镓单晶