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| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1217/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(339Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1231/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1185/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1328/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1235/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1261/128  |  提交时间:2009/06/11 |