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In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:  Sun GS;  Luo MC;  Wang L;  Zhu SR;  Li JM;  Zeng YP;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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3c-sic  In-situ Doping  Low-pressure Cvd  Sapphire Substrate  Chemical-vapor-deposition  Competition Epitaxy  
Studies of 6H-SiC devices 会议论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2 (5), SEOUL, SOUTH KOREA, DEC 05-09, 2001
作者:  Wang SR;  Liu ZL;  Wang SR Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Sic  Schottky  Pn Junction Diodes  Mos Capacitor  Junction Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin JZ;  Du GT;  Liu SP;  Liu ZS;  Wang XQ;  Li ZT;  Yin ZY;  Yang SR;  Yin JZ,Jilin Univ,Dept Elect Engn,State Key Lab Integrated Optoelect,Jiefang Rd 125,Changchun 130023,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS;  Luo MC;  Wang L;  Zhu SR;  Li JM;  Zeng YP;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SR;  Liu ZL;  Wang SR,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SB;  Kong GL;  Wang YQ;  Sheng SR;  Liao XB;  Zhang SB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan LW;  Zan YD;  Wang J;  Wang QY;  Yu YH;  Wang SR;  Liu ZL;  Lin LY;  Tan LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semiconductor Mat Lab,Beijing 100083,Peoples R China.
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