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Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Peng CS;  Chen H;  Zhao ZY;  Li JH;  Dai DY;  Huang Q;  Zhou JM;  Zhang YH;  Tung CH;  Sheng TT;  Wang J;  Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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Threading Dislocation  Si(100)  Layers  Films  
The role of hydrogen in semi-insulating INP 会议论文
HYDROGEN IN SEMICONDUCTORS AND METALS, 513, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:  Han YJ;  Liu XL;  Jiao JH;  Qian JJ;  Chen YH;  Wang ZG;  Lin LY;  Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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