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InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  孙静
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InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  沈桂英
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Inas单晶  热退火  离子注入  缺陷复合体  杂质带电导  
宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘雅丽
Adobe PDF(5504Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1323/64  |  提交时间:2016/06/03
Algan/algan 量子阱  Gan/aln量子点  半导体金刚石  深紫外光致发光  激子-声子作用  激子局域化