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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [6]
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专利 [6]
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2006 [6]
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SEMI OpenIR
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共6条,第1-6条
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发表日期:2006
文献类型:专利
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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一种高可靠性980nm大功率量子阱半导体激光器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王俊
;
马骁宇
Adobe PDF(279Kb)
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浏览/下载:965/186
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提交时间:2009/06/11
一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王俊
;
马骁宇
Adobe PDF(280Kb)
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浏览/下载:869/131
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提交时间:2009/06/11
宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李宝霞
;
张靖
;
赵玲娟
;
王圩
Adobe PDF(544Kb)
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浏览/下载:1133/185
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提交时间:2009/06/11
数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郑凯
;
马骁宇
;
林涛
;
刘素平
;
张广泽
Adobe PDF(808Kb)
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浏览/下载:1190/171
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提交时间:2009/06/11
一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(1125Kb)
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浏览/下载:1028/150
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提交时间:2009/06/11
铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
林涛
;
江李
;
陈芳
;
刘素平
;
潭满清
;
王国宏
;
韦欣
;
马骁宇
Adobe PDF(476Kb)
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浏览/下载:1310/173
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提交时间:2009/06/11