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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Z (Li Z.);  Li CJ (Li C. J.);  Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. E-mail: zhengl@bnl.gov
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A CMOS front-end circuit for SONET OC-96 receiver 会议论文
2006 INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMMUNICATIONS CIRCUITS AND SYSTEMS PROCEEDINGS丛书标题: International Conference on Communications, Circuits and Systems, Guilin, PEOPLES R CHINA, JUN 25-28, 2006
作者:  Liu JB (Liu Jinbin);  Gu M (Gu Ming);  Chen HD (Chen Hongda);  Gao P (Gao Peng);  Liu, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Transimpedance Amplifier  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang RX (Wang R. X.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Shi SL (Shi S. L.);  Beling CD (Beling C. D.);  Fung S (Fung S.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Yang H (Yang H.);  Tao XM (Tao X. M.);  Wang, RX, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma L (Ma Long);  Huang YL (Huang Ying-Long);  Zhang Y (Zhang Yang);  Wang LC (Wang Liang-Chen);  Yang FH (Yang Fu-Hua);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Li RY;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Li, Z (Li, Z.);  Li, CJ (Li, C. J.);  Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. 电子邮箱地址: zhengl@bnl.gov
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Dlts  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo Weijun;  Chen Xiaojuan;  Liang Xiaoxin;  Ma Xiaolin;  Liu Xinyu;  Wang Xiaoliang
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