中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

限定条件                        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1243/186  |  提交时间：2009/06/11
中国材料工程大典—信息功能材料工程 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:  王占国;  陈立泉;  屠海令
JPEG(8Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3290/605  |  提交时间：2009/09/19
半导体纳米结构的电子结构计算 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  骆军委
Adobe PDF(7115Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：827/45  |  提交时间：2009/04/13
InP 基InAs 纳米结构材料的生长、光电性质与其器件应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  雷文
Adobe PDF(4001Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：742/25  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴燕;  朱贤方;  王占国
Adobe PDF(653Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：883/272  |  提交时间：2010/11/23