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Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Zeng YP;  Sun NF;  Sun TN;  Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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Fe-doped Inp  Semiinsulating Inp  Point-defects  Pressure  Wafers  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Zeng, YP;  Sun, NF;  Sun, TN;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang K;  Li SS;  Xia JB;  Peeters FM;  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, NLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YL;  Chen NF;  Zhou JP;  Song SL;  Liu LF;  Yin ZG;  Cai CL;  Li, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ylli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, GQ;  Zou, Q;  Sun, P;  Mei, X;  Ruda, HE;  Zou, Q, Energenius Inc, 351 Steelcase Rd W 3, Markham, ON, Canada. 电子邮箱地址: qzou@energenius.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, GR;  Zhou, X;  Yang, FH;  Tan, PH;  Zheng, HZ;  Zeng, YP;  Li, GR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang EX;  Yi WB;  Liu XH;  Chen M;  Liu ZL;  Xi W;  Zhang, EX, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: yqfzhexia@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, LW;  Sou, IK;  Ge, WK;  Lu, LW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwlu@red.semi.ac.cn
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Behavior model of a CMOS process compatible photo-diode 会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:  Gao P;  Chen HD;  Mao LH;  Gao, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Receivers  
A simulation model of body contact structure in PD SOI analogue circuit 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Jiang, F;  Liu, ZL;  Jiang, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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