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作者:  Dou XM;  Chang XY;  Sun BQ;  Xiong YH;  Niu ZC;  Ni HQ;  Jiang DS;  Dou, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, BR;  Sun, BQ;  Ji, Y;  Dou, XM;  Xu, ZY;  Wang, ZM;  Salamo, GJ;  Wang, BR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: brwang04@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL;  Bian LF;  Uesugi M;  Nosho H;  Tackeuchi A;  Niu ZC;  Lu, SL, Waseda Univ, Dept Appl Phys, Tokyo 1698555, Japan. 电子邮箱地址: sllu@waseda.jp
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XD;  Xu ZY;  Sun Z;  Sun BQ;  Li GH;  Sou IK;  Ge WK;  Yang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Sun BQ;  Jiang DS;  Ge WK;  Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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