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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [3]
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会议论文 [3]
发表日期
2006 [1]
2001 [1]
2000 [1]
语种
英语 [3]
出处
PHYSICA ST... [1]
PROCEEDING... [1]
Physica St... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
资助机构
Japan Soc ... [1]
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SEMI OpenIR
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Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Molecular-beam Epitaxy
2-dimensional Electron-gas
Bulk Gan
Optimization
Layers
Hemts
Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:
Sun XL
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Chen Y
;
Li GH
;
Wang ZG
;
Sun XL Ohio State Univ Dept Elect Engn Columbus OH 43210 USA.
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浏览/下载:1295/285
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提交时间:2010/11/15
Gallium Nitride
Luminescence
Bulk
Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Liu XL
;
Yuan HR
;
Lu DC
;
Wang XH
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Mg-doped
Algan/gan Superlattices
Resistivity
Hole Concentration
Polarization