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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YQ;  Yang Y;  Fu SY;  Yi XY;  Wang LC;  Chen HD;  Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han GQ;  Zeng YG;  Liu Y;  Yu JZ;  Cheng BW;  Yang HT;  Han, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hgquan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Y;  Han, CL;  Gao, JF;  Zhu, ZP;  Wang, BQ;  Zeng, YP;  Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_yang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XQ;  Liu, XL;  Han, XX;  Yuan, HR;  Wang, J;  Guo, Y;  Song, HP;  Zheng, GL;  Wei, HY;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ruan, XZ;  Sun, BQ;  Ji, Y;  Yang, W;  Zhao, JH;  Xu, ZY;  Ruan, XZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyang@red.semi.ac.cn
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Fracture properties of PECVD silicon nitride thin films by long rectangular memrane bulge test 会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:  Zhou, W;  Yang, JL;  Li, Y;  Yang, FH;  Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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Bulge Test  Fracture Property  Silicon Nitride  Weibull Distribution Function  
High-efficiency GaN-based blue LEDs grown on nano-patterned sapphire substrates for solid-state lighting - art. no. 684103 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Yan, FW;  Gao, HY;  Zhang, Y;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Yang, FH;  Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Mocvd  Led  Nano-pattern  Sem  Hrxrd  Pl  
Improvement of GaN-based light emitting diodes performance grown on sapphire substrates patterned by wet etching - art. no. 684107 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Gao, HY;  Yan, FW;  Zhang, Y;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Yang, FH;  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, A35 Qinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China.
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Pyramidal Patterned Substrate  Ingan/gan  Light-emitting Diode  Wet Etching  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang T;  Tatebayashi J;  Nishioka M;  Arakawa Y;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang YZ;  Che KJ;  Yang YD;  Wang SJ;  Du Y;  Fan ZC;  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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