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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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期刊论文
作者:
Xiao-Meng Zhao
;
Yang Zhang
;
Li-Jie Cui
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Min Guan
;
Bao-Qiang Wang
;
Zhan-Ping Zhu
;
Yi-Ping Zeng
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提交时间:2018/06/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
LI Zhi-Dong, XIAO Hong-Ling, WANG Xiao-Liang, WANG Cui-Mei, DENG Qing-Wen, JING Liang, DING Jie-Qin, WANG Zhan-Guo, HOU Xun
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浏览/下载:712/87
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提交时间:2014/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang Yang, Zhang Yu-Wei, Wang Cheng-Yan, Guan Min, Cui Li-Jie, Li Yi-Yang, Wang Bao-Qiang, Zhu Zhan-Ping, Zeng Yi-Ping
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浏览/下载:530/136
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提交时间:2014/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张家奇,杨秋旻,赵杰,崔利杰,刘超,曾一平
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浏览/下载:539/161
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提交时间:2013/05/29
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期刊论文
作者:
张家奇,赵杰,刘超,崔利杰,曾一平
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提交时间:2013/06/03
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Cui LJ (Cui Lijie)
;
Li YB (Li Yanbo)
;
Zhao, J, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, QingHua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jiezhao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/07/05
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
王晓亮
;
李巍
;
李百泉
;
肖红领
;
殷海波
;
冯春
;
姜丽娟
;
邱爱芹
;
王翠梅
;
介芳
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提交时间:2016/09/28
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
王晓亮
;
李巍
;
李百泉
;
肖红领
;
殷海波
;
冯春
;
姜丽娟
;
邱爱芹
;
王翠梅
;
介芳
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浏览/下载:673/3
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提交时间:2016/09/28
p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25
发明人:
刘超
;
张理嫩
;
杨秋旻
;
崔利杰
;
曾一平
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提交时间:2014/11/17
一种三结叠层太阳能电池及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2015-04-22
发明人:
崔利杰
;
刘超
;
王晓东
;
曾一平
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提交时间:2016/09/28