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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李丙乾;  张书明;  杨辉
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垂直腔面发射激光器TO同轴封装测试用的夹具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  袁海庆;  张尚剑;  王欣;  祝宁华
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  成步文;  余金中;  王启明
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包含硅基高效发光材料的电致发光器件及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  成步文;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Pan JQ;  Zhang J;  Zhou GT;  Wu J;  Zhou F;  Wang BJ;  Wang LF;  Wang W;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Pan JQ;  Zhang J;  Zhou F;  Wang BJ;  Wang LF;  Bian J;  An X;  Zhao LJ;  Wang W;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Pan JQ;  Zhang J;  Li BX;  Zhou F;  Wang BJ;  Wang LF;  Bian J;  Zhao LJ;  Wang W;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shu Q;  Shu YC;  Zhang GJ;  Liu RB;  Yao JH;  Pi B;  Xing XD;  Lin YW;  Xu JJ;  Wang ZG;  Shu, YC, Nankai Univ, Minist Educ, Key Lab Adv Tech & Fabricat Weak Light Nonlinear, Tianjin 300457, Peoples R China. E-mail: shuyc@nankai.edu.cn
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