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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang, L.; Ding, K.; Liu, N.X.; Wei, T.B.; Ji, X.L.; Ma, P.; Yan, J.C.; Wang, J.X.; Zeng, Y.P.; Li, J.M.; Zhang, L.(zhanglian07@semi.ac.cn) Adobe PDF(1198Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1223/398  |  提交时间:2012/06/14 |
| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(352Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1766/324  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 李京波; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1531/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1798/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1542/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1855/367  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1921/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157625.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1398/273  |  提交时间:2011/08/31 |
| 高质量氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010541038.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1386/250  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种LED外延片的切裂方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:678/3  |  提交时间:2016/08/30 |