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| 基于键合工艺的Si/SiC界面特性研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 王风旋 Adobe PDF(3199Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:321/5  |  提交时间:2022/07/25 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 王栎皓 Adobe PDF(9768Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/11/24 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 王天昀 Adobe PDF(3565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/09/22 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 唐海马; 郑中山; 张恩霞; 于芳; 李宁; 王宁娟; 李国花; 马红芝 Adobe PDF(1182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:982/259  |  提交时间:2012/07/17 |
| 基于电子束曝光技术的硅纳米线器件的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 王颖 Adobe PDF(6054Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1124/86  |  提交时间:2010/06/08 |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1418/249  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 樊晶美; 王良臣; 刘志强 Adobe PDF(609Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1268/198  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07 发明人: 彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德 Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1329/250  |  提交时间:2012/09/07 |
| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1401/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010283557.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(578Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1505/229  |  提交时间:2011/08/31 |