SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构
司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 杨富华
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2014-12-04
申请号CN201410734012.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27215
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
司朝伟,韩国威,宁瑾,等. 应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构.
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应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构.(313KB) 限制开放使用许可请求全文
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